|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ |  |
Номер публикации патента: 2119694 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Николаев К.П., Немировский Л.Н. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике. Обзоры по электронной технике. Серия 2, полупроводниковые приборы, 1989, вып.9 (1506), с.59. Панков В.С. и др. Начальная В.С. и др. Начальная стадия роста и морфология поверхности кремния при гетероэпитаксии на сапфире. - Известия АН СССР. Сер.Неорганические материалы, 1971, т.7, N 9, с.1481-1485. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния. Технический результата: повышение чувствительности способа при контроле однородности распределения пор в слоях пористого кремния. Сущность изобретения: облучают пористую поверхность светом и регистрируют интенсивность отраженного излучения с различных участков поверхности, измеряют интенсивность отраженного света, а затем структуру упруго деформируют изгибом так, чтобы пористая поверхность становилась выпуклой. Повторно измеряют интенсивность отраженного света и по характеру изменения регистрируемой интенсивности до и после деформирования судят о степени однородности слоя пористого кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента