|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ СЛОИСТОГО ПОЛУПРОВОДНИКА |  |
Номер публикации патента: 2119210 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/04 | | Аналоги изобретения: | Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. Электрические свойства оптических контактов слоистых полупроводников, ФТП, том 11, 10, 1977, с.2000 - 2002. Бакуменко В.Л. и др. Исследование гетеропереходов InSe-GaSe, приготовленных посадкой на оптический контакт. ВТП, том.14, 6, 1980, с.1115 - 1119. |
| Имя заявителя: | Корбутяк Дмитрий Васильевич (UA) | | Изобретатели: | Бобицкий Ярослав Васильевич (UA)
Вознюк Евгений Федорович (UA)
Демчина Любомир Андреевич (UA)
Ермаков Валерий Николаевич (UA)
Коломоец Владимир Васильевич (UA)
Корбутяк Дмитрий Васильевич (UA)
Литовченко Владимир Григорьевич (UA) | | Патентообладатели: | Корбутяк Дмитрий Васильевич (UA) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника включает облучение слоистого полупроводника в месте предполагаемого расположения электрического контакта одиночным импульсом технологичного лазера с плотностью энергии Е = 1,2 · Eпор, где Е - плотность энергии импульса лазера, Епор - плотность энергии лазера, необходимая для расплавления поверхности слоистого полупроводника. На предполагаемое место контакта наносят металл с соответствующей работой выхода путем осаждения меди из водного раствора CuSO4 с помощью вытеснения меди иглой, изготовленной из индия. Производят отслаивание по плоскостям спайности монокристаллических пластин или пленок слоистого полупроводника для нанесения их на подложку изготавливаемого гетероперехода. Изготавливают гетеропереход с помощью механического прижима монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке. Изготовленный гетеропереход выдерживают в течение 15 - 20 суток при комнатной температуре для обеспечения полной диффузии контактного металла в слоистый полупрводник. Для прозрачных лазерному излучению полупроводниковых материалов, например, типа GaSe облучение технологическим лазером производят перпендикулярно к слоям до образования визуально наблюдаемой впадины или отверстия. Для непрозрачных лазерному излучению полупроводниковых материалов, например, типа InSe облучение технологическим лазером производят параллельно к слоям до образования визуально наблюдаемого оплавленного участка. 3 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента