|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2114487 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/283 C23C014/35 | | Аналоги изобретения: | 1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Ра дио и связь, 1991, с. 528. 2. Гусев Г. Тлеющий разряд в технологии ЭВП. Об зоры по электронной технике. Сер. 7. Вып. 1 (693). - М.: ЦНИИ Электроника, 1980. |
| Имя заявителя: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН | | Изобретатели: | Абдуев А.Х.
Магомедов А.М. | | Патентообладатели: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике. Сущность: предлагаемый способ магнетронного распыления заключается в том, что к разрядному промежутку магнетрона прикладывают постоянное напряжение, но в отличие от известных способов используют рабочий газ, содержащий электроотрицательную компоненту, например кислород, а параллельно разрядному промежутку подключают электрическую емкость, обеспечивающую резонанс с колебаниями плазмы в разрядном промежутке. При этом ток и напряжение в разрядной цепи осциллируют с частотой порядка 10 кГц, что предотвращает разрушение мишеней, а также создает воспроизводимые условия распыления. Предлагаемый способ осуществляется самым простыми средствами, например с использованием однополупериодного выпрямителя. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента