На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ОБЛАДАЮЩЕЕ ДВУХСЛОЙНОЙ СИЛИЦИДНОЙ СТРУКТУРОЙ И СПОСОБЫ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ /ВАРИАНТЫ/

Номер публикации патента: 2113034

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  93005343		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа). Сущность: двухслойный силицид получают осаждением металла, образующего силицид при предопределенной первой температуре, на поликристаллический кремний для образования первого слоя силицида металла и последующим осаждением металла, образующего силицид при второй температуре, которая ниже первой температуры, для образования второго слоя силицида металла; поскольку нестабильность известного полупроводникового устройства, построенного на силициде титана, начинает проявляться при более высокой температуре последующего отжига в печи, то можно избежать роста зерен, пластическую деформацию и агломерацию. 3 с. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Вернуться к списку