|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ПОДЛОЖКАХ CdXHg1XTe |  |
Номер публикации патента: 2097871 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/465 H01L021/306 | | Аналоги изобретения: | Бердченко Н.Н. и др. Свойства поверхности узкозоных полупроводников и методы ее защиты. - Зарубежная электронная техника, 1981, N 3 (235), с. 3. US, патент N 3671313, кл. H 01 L 7/00, 1972. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Ромашко Л.Н.
Мясников А.М.
Ободников В.И.
Овсюк В.Н.
Васильев В.В.
Земцова Т.А. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках CdxHg1-xTe включает в себя химическую полировку в бромном травителе, промывку поверхности в органических растворителях, нанесение диэлектриков и напыление металла, причем после травления и промывки поверхности в органических растворителях поверхность подложек обрабатывают во фторсодержащем водном растворе с концентрацией фтора 3 - 20% с последующей промывкой в воде. Предлагаемый способ позволяет достаточно простым дешевым способом, не требующим дополнительных трудоемких и дорогостоящих операций и оборудования, изготовлять матрицы стабильных однородных приборов с достаточно высокими параметрами. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента