|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2094902 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/306 | | Аналоги изобретения: | 1. Fr, заявка N 2312856, кл. H 01 L 21/308, 1977. 2. P.Chao et al. IEEE Electron Device hett, 1982, EDL-3, р. 286. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Горохов Е.Б.
Носков А.Г.
Принц В.Я. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Горохов Евгений Борисович
Носков Анатолий Григорьевич
Принц Виктор Яковле |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая технология, для создания многократно используемых масок с самоформирующимся и самосовмещенным литографическим рисунком. Сущность изобретения: способ заключается в следующем: на поверхность твердого тела наносят двухслойную маску с заданными свойствами и с рисунком, формирующим в ней концентраторы механических напряжений, обрабатывают маску для генерации в ней заданных механических напряжений, что приводит к образованию узких отверстий в маске в местах расположения концентраторов путем трещинообразования, а затем и к прецизионному сдвигу их краев за счет скольжения верхнего слоя маски по нижнему вспомогательному слою. Затем с областей поверхности вблизи отверстий удаляют вспомогательный слой из-под основного слоя маски. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента