|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ |  |
Номер публикации патента: 2092931 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4144999, кл. H 01 L 21/32, 1978. 2. Патент США N 4018626, кл. H 01 L 21/304, 1977. 3. J. Apple. Phys., 1978, 49, N 8, 5188. |
| Имя заявителя: | Левин Марк Николаевич | | Изобретатели: | Левин Марк Николаевич
Кадменский Станислав Георгиевич
Суровцев Игорь Степанович
Зон Борис Абрамович
Ровинский Александр Павлович
Ивакин Анатолий Николаевич
Баранов Юрий Игоревич | | Патентообладатели: | Левин Марк Николаевич
Кадменский Станислав Георгиевич
Суровцев Игорь Степанович
Зон Борис Абрамович
Ровинский Александр Павлович
Ивакин Анатолий Николаевич
Баранов Юрий Иг |
Реферат | |
Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность способа заключается в том, что после проведения имплантации ионов в поверхностный слой полупроводниковых пластин их (пластины) подвергают обработке импульсным магнитным полем с последующим термическим отжигом при температуре 200-300oC в течение 30-15 мин. Причем имплантацию ионов осуществляют путем облучения поверхностного слоя пластины α-частицами, которую проводят с лицевой стороны пластины. 2 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента