Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер публикации патента: 2077754

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94030215 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/66    
Аналоги изобретения: 1. Патент США N 4333051, кл. G 01R 31/26, 1982. 2. Патент США N 5025145, кл. H 01J 40/14, 1991. 

Имя заявителя: Файфер Владимир Николаевич 
Изобретатели: Файфер В.Н.
Дюков В.Г.
Правдивцев А.Е. 
Патентообладатели: Файфер Владимир Николаевич 

Реферат


Использование: для измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин и структур при производстве интегральных микросхем, для оптимизации технологических процессов. Сущность изобретения: освещают локальную область поверхности пластины модулированным монохроматическим излучением на разных длинах волн и измеряют сигналы фотоЭДС. Выбирают потоки на линейном участке зависимости сигналов фотоЭДС от них и измеряют сигналы фотоЭДС на выбранных потоках. Освещают симметричную область на обратной стороне пластины модулированным монохроматическим излучением на тех же длинах волн. Выбирают потоки на линейном участке зависимости сигналов фотоЭДС на исходной стороне пластины таким образом, чтобы отношение потоков на каждой длине волны было одинаковым, и измеряют сигналы фотоЭДС на выбранных потоках. Расчет искомых параметров проводят с использованием всех измеренных значений, учитывая толщину пластины и коэффициенты поглощения. Устройство содержит предметный столик с отверстием, перестраиваемый по длине волны источник монохроматического, регулируемого и моделированного по интенсивности излучения, два оптических элемента формирования пространственно ограниченного потока излучения, расположенных по разные стороны от плоскости столика и оптически связанных через две оптические системы передачи излучения, а также через оптический коммутатор с источником излучения, датчик фотоЭДС с электродом емкостной связи, расположенным между одним из птических элементов и плоскостью столика, причем выход датчика фотоЭДС связан со входом блока регистрации и управления, выход которого связан с источником. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"