|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ОБЪЕДИНЕННЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 2065225 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/22 | | Аналоги изобретения: | 1. IEEE Transactions Electron Deveis, 1980. р.373 - 379. |
| Имя заявителя: | ГП ОКБ "Искра" | | Изобретатели: | Левин А.А.
Королев А.Ф.
Гордеев А.И.
Насейкин В.О. | | Патентообладатели: | ГП ОКБ "Искра" |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления биполярных транзисторов. Сущность изобретения: базовая область создается стандартными процессами фотолитографии и диффузии сквозь маску определенной конфигурации, которая представляет собой систему защитных островков шириной не более 1,28 глубины залегания коллекторного p-n-перехода. Эмиттерная область создается диффузией в область, расположенную вокруг защитных островков. 16 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента