Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ N - P - ПЕРЕХОДОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CDXHG1 - xTE

Номер публикации патента: 2062527

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5057616 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/477    

Имя заявителя: Институт физики полупроводников СО РАН 
Изобретатели: Кремаренко А.А.
Ловягин Р.Н.
Овсюк В.Н. 
Патентообладатели: Институт физики полупроводников СО РАН 

Реферат


Использование: в технологии изготовления фотоприемников инфракрасного излучения. Сущность изобретения: на исходных кристаллах Cdx Hg1-x Те с χ = 0,190-0,250 p-типа проводимости размещают индиевую фольгу и помещают полученный сендвич в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой. Затем проводят нагрев до температуры 220-245 град.С и отжиг при этой температуре в течение времени 500-1000 секунд. 1 ил., 2 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"