На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С СУБМИКРОННЫМ ЗАТВОРОМ ШОТТКИ | |
Номер публикации патента: 2046453 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/338 | Аналоги изобретения: | 1. Патент Японии N 57-51985, кл. H 01L 29/80, 1982. |
Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Планета" | Изобретатели: | Мозгунов А.Ф. Романов В.Л. Чернявский А.А. | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Планета" |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике при изготовлении полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки включает формирование тонкого легированного и толстого сильнолегированного слоев на полуизолирующей подложке, формирование электродов истока и стока, нанесение между электродами полоски диэлектрика, ширина которой равна величине разрешения используемого технологического метода, а середина совмещена с к
|