

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2029412

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	5041578

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/31
Аналоги изобретения:	Патент США N 4217373, кл. H 01L 210/205, 1980.

Имя заявителя:	Институт физики полупроводников СО РАН
Изобретатели:	Болотин В.П. Михайловский И.П. Черепов Е.И.
Патентообладатели:	Институт физики полупроводников СО РАН

Реферат

Использование: способ может быть использован в технологии получения полупроводниковых приборов на основе соединений A^IIB^VI и A^IIIB^V и при изготовлении кремниевых ИС. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоев из гомогенной газовой смеси моносилана, триметилфосфата и аргона или тетраэтоксисилана и кислорода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"