На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Номер публикации патента: 2028696

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  4942690		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковому производству и можеть быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений. Сущность изобретения: в способе создания многоуровневых межсоединений интегральных микросхем нижний диэлектрический слой наносят толщиной, составляющей 1,3 1,4 толщины нижнего уровня межсоединений. После вскрытия окон в органическом слое осуществляют его термоионную или фотонную стабилизирующую обработку. Неселективное травление органического и диэлектрического слоев производят со скоростью 0,6 - 0,8 мкм/мин при нагревании поверхности структур до 200 - 220°С до достижения остаточной толщины диэлектрического слоя 0,1 - 0,3 мкм над шинами межсоединений с максимальной ширины. Осаждают последующий диэлектрический слой. Наносят последующий органический слой и формируют в нем окна, соответствующие областям межуровневых контактов. Производят селективное по отношению к последующему органическому слою травление последующего диэлектрического слоя. После этого удаляют остаточный последующий органический слой. Положительный эффект: получение планарной поверхности, близкой к идеальной, реализация СБИС с двумя и более уровнями межсоединений с увеличенной плотностью упаковки. 2 з.п. ф-лы.

Вернуться к списку