|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ОКОН В ИЗОЛИРУЮЩИХ И ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЯХ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2024991 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/308 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4671840, МКИ H 01L 21/308, 1987. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | | Изобретатели: | Близнецов В.Н.
Гущин О.П.
Красников Г.Я.
Трусов А.А.
Храпова В.В.
Ячменев В.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния, включает обработку слоя диэлектрика в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 300 до 1200 Па и плотности ВЧ-мощности от 4,0 до 8,0 Вт/см2 в плазме четырехкомпонентной смеси при следующем соотношении компонентов от: октафторпропан или гексафторэтан 12 37, гексафторид серы или трифторид азота 1 4, кис
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента