|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ РЕЗИСТОРАМ НА ОСНОВЕ МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ |  |
Номер публикации патента: 2024989 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Радио и связь. М., 1982, с.209. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР | | Изобретатели: | Володин Н.М.
Каминский В.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Научно-производственное объединение им.С.А.Лавочкин |
Реферат | |
Назначение: технология изготовления полупроводниковых термо- и тензорезисторов. Сущность изобретения: контактные площадки резисторов подвергают обработке давлением индентора. Одновременно измеряют изменение электросопротивления резистора. Воздействие прекращают, когда изменение электросопротивления уменьшится до 0,01 Ом. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента