|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ НА ОБРАЗЦАХ CdxHg1 - xTe P - ТИПА СТРУКТУР С ГЛУБОКОКОМПЕНСИРОВАННЫМ СЛОЕМ |  |
Номер публикации патента: 2023326 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/425 | | Аналоги изобретения: | 1. A.Rogalski, J.Piotrowski. Jntrinsic Jnfrared Detestors Prog. Quant Electr, 12, 1988, p.87. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Мищенко А.М.
Талипов Н.Х.
Шашкин В.В. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника, в частности технология изготовления фотоприборов. Сущность: в нагретый до температуры 70 170°С образец CdxHg1-xTe P-типа проводят имплантацию ионов с энергией 10 150 кэВ и дозой 1012- 1014 см-2. При маскировании образца капсулирующим диэлектрическим покрытием, имплантацию проводят ионами, энергию которых увеличивают на величину энергетических потерь в диэлектрике. После имплантации ионов проводят удаление поверхностного слоя образца толщиной не менее величины пробега ионов в полупроводнике и не более значения, при котором концентрация электронов на поверхности равна 1015- 1017 см-3. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента