На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ СВЕТОДИОДА | |
Номер публикации патента: 2018993 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/66 | Аналоги изобретения: | 1. B.Rheinlander, R.Reulke, G.Oelgart "Zur Bestimmung der hebensdaues von Minoritatslad ungstragenrn in pn- Ubergangen aus Messungen der Jnjektionslumineszenz Kinetck", Experim. Jechnik der phus, 1984, v.32, N 6, р.р.499-506 |
Имя заявителя: | Одесский государственный университет им.И.И.Мечникова,Птащенко Александр Александрович,Цап Борис Викторович,Мелконян Джемма Варанцовна,Мороз Наталья Владимировна | Изобретатели: | Птащенко А.А. Цап Б.В. Мелконян Д.В. Мороз Н.В. | Патентообладатели: | Одесский государственный университет им.И.И.Мечникова Птащенко Александр Александрович Цап Борис Викторович Мелконян Джемма Варанцовна Мороз Наталья Владимировна |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых диодов. Сущность: через светодиод пропускают импульс прямого тока и после его прохождения измеряют время релаксации электролюминесценции, по которому затем определяют время жизни неосновных носителей заряда в активной области светодиода.
|