|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| Способ плазменного легирования полупроводниковых подложек |  |
Номер публикации патента: 2002337 |  |
| Имя заявителя: | Инженерный центр "Плазмодинамика" | | Изобретатели: | Кулик Павел Павлович
Кудрявцева Нина Васильевна
Иванов Владимир Владимирович
Зорина Евгения Николаевна | | Патентообладатели: | Инженерный центр "Плазмодинамика" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, формирование элементов И С Сущность изобретения, внедрение примеси в материал подложки проводят в плазменной среде, сформированной в виде плазменного потока атмосферного давления при тем4 пературе не менее 10 К, образованного тремя сходящимися струями, в зону слияния которых подают легирующую примесь, а последующий отжиг проводят путем пересечения подложкой плазменного потока, по меньшей мере один раз.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента