На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 1828720

Вид документа:  A3  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4928704		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, изготовление мощного кремниевого транзистора с пониженной степенью легирования эмиттерной области. Сущность изобретения: при изготовлении мощного кремниевого транзистора. эмиттерная область которого имеет пониженную степень легирования Nsэ<<3<195>1020ат/см3, формируют в высокоомном слое исходной n-n+-структуры, имеющей толщину высокоомного слоя H1 и глубину n+-слоя Н2, базовую область р-типа проводимости, проводят предварительную низкотемпературную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер при 800-1000<198> С и дальнейшую совместную высокотемпературную разгонку базовой и эмиттерной примеси при 1100-1250<198>С. Новым в способе является то, что перед и/или после формирования в указанном высокоомном слое эмиттерной и базовой областей при 1100-1250<198>С в течение 1-6 ч проводят по крайней мере одну дополнительную операцию диффузии фосфора, обеспечивающую создание в коллекторной и/или базовой областях сильнолегированного n++- слоя глубиной Xj, где 5 мкм<j<<30 мкм, и степенью легирования больше 5<195>1020ат/см3. Причем при Н1>>Н2 указанную дополнительную диффузию проводят только со стороны высокоомного слоя, а при Н1<<Н2 только со стороны n+-слоя. 3 з.п.ф-лы.

Вернуться к списку