|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПАЛЛАДИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА AIIIBV |  |
Номер публикации патента: 1335062 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/445 | | Аналоги изобретения: | Патент Японии N 56-163296, кл. C 25 D 3/50, 1981. Патент Японии N 57-45057, кл. C 23 C 3/02, 1982. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Анисимова Л.Т.
Лазарев С.А.
Филипченко В.Я.
Якорев С |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии полупроводникового производства и может быть использовано при палладировании поверхности полупроводниковых соединений типа А III B V в процессе изготовления, например, светодиодов, инжекционных лазеров, диодов Ганна и т.д. Цель изобретения - повышение качества металлизации и снижение расхода палладия. Согласно изобретению осаждение палладия на поверхность полупроводника проводят в водном растворе, содержащем 0,005 - 0,01 мас.% двуххлористого палладия и соляную кислоту в концентрации 1 - 1000 г/л при температуре от 293 до 298 К. Перед осаждением палладия поверхность полупроводника очищают от загрязнений органическим растворителем, а затем полирующим травителем. После осаждения палладия структуру промывают в деионизованной воде с сопротивлением не ниже 10 6 Ом и сушат. Металлизированная поверхность обладает хорошей адгезионной способностью к металлам и сплавам, используемым в качестве омических контактов и теплоотводов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента