На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ПЛАСТИН С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ СТРУКТУРАМИ КЛАССА A3B5 И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | |
Номер публикации патента: 1304673 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L021/477 | Аналоги изобретения: | Патент Японии N 526143, кл. H 01 L 21/324, 1977. Авторское свидетельство СССР N 818379, кл. H 01 L 21/265, 1979. |
Имя заявителя: | | Изобретатели: | Нечаев Г.В. Чернявский А.А. Швецов В.Н. Зайцев В.В. Дмитриев |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и позволяет улучшить электрофизические параметры обрабатываемых структур, их воспроизводимость, а также повысить технологичность способа за счет того, что термообработку полупроводниковых соединений А3 B5 проводят в проточной неокислящей атмосфере до 450-550o в открытом контейнере, а дальнейшую термообработку - в герметичном контейнере в присутствии равновесных паров летучего компонента В5. Для осуществления способа пластины полупроводниковых соединений А3B5 располагают в контейнере, в торце которого выполнено по крайней мере одно углубление. В углубление помещают навеску из материала, имеющего температуру плавления, соответствующую температуре герметизации контейнера, причем объем навески меньше или равен объему углубления, а высота больше высоты углубления. В результате между крышкой и контейнером образуется зазор. При расплавлении навески контейнер герметизируется. С целью многократного использования навески длина или ширина углубления выполнена равной высоте навески. 2 с.п., 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|