| 
			
					
			 На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента 
			
			 
		   | ДАТЧИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ |      |  
 
 Номер публикации патента: 95111196 |   |  
  
	
	
		
			
| Вид документа:  | A1  |  | Страна публикации:  | RU  |  | Рег. номер заявки:  | 95111196  |  
			 
		 | 
		  | 
		
 
		 | 
	 
	  
	 
	
	 
	
| Имя заявителя:  | Московский государственный институт электронной техники (технический университет)  |  | Изобретатели:  | Будагян Б.Г. Айвазов А.А. Шерченков А.А. Филатова И  |  
	 
	 
Реферат |   |  
 
 Изобретение относится к оптоэлектронике и может найти применение в качестве приемника излучения с избирательной чувствительностью в ИК-области при создании фоточувствительных устройств. Предложенный датчик ИК-излучения обладает избирательной фоточувствительностью в ближней ИК-области спектра с максимумом 102 на длине волны 1,08 μm, совместим со стандартной кремниевой технологией, применяемой в микроэлектронике, и не требует охлаждения при своей работе. Датчик ИК-излучения содержит монокристаллическую кремниевую подложку р-типа проводимости с удельным сопротивлением более 20 0м, сформированный на ней слой из аморфного кремния n-типа проводимости толщиной от 1,6 до 2,0 мкм и омические контакты к ним.  
		 |