На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА

Номер публикации патента: 95110537

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95110537

Реферат

Изобретение относится к электронной технике. Высокочастотный прибор на эффекте Ганна содержит полупроводниковый материал GaAs n-типа проводимости, расположенные друг напротив друга анодный и катодный контакты. Катодный контакт содержит области инжектирующие ток n⁺-типа проводимости, окруженные областями ограничивающими инжекцию тока, выполненными в виде обратно-смещенного барьера Шоттки. Со стороны анодного контакта сформированы полупроводниковые слои n⁺-, n⁺⁺-типа проводимости, а области инжектирующие и ограничивающие инжекцию тока в прибор выполнены кольцевыми с общим геометрическим центром. В центре структуры прибора выполнено цилиндрическое отверстие, проекция которого совпадает с внутренней окружностью внутренней кольцевой области и образующая цилиндра перпендикулярна каждому из слоев. Новым в высокочастотном приборе на эффекте Ганна является выполнение катода прибора в виде периодически повторяющихся с периодом δ = (h^ОК+ h^БШ) N кольцевых областей инжектирующих ток прибор, отделенных друг от друга (N+1)-й областью, ограничивающими инжекцию тока в прибор с общим геометрическим центром. Количество кольцевых областей N, инжектирующих ток в прибор, при заданной входной мощности прибора P_вх и перегреве прибора &Dgr;T, связаны определенным соотношением. Кроме того, в высокочастотном приборе перегрев прибора &Dgr;T удовлетворяет соотношению &Dgr;T ≅ 100K,, а внешний радиус первой от геометрического центра кольцевой области катода, инжектирующий ток в прибор R₁ и δ выбираются из соотношений R₁ ≥ 25h^ОК, δ > 10h^ОК..

Вернуться к списку