SU 251096 А, 06.05.1977. RU 1581149 С, 15.09.1994. US 5159296 А, 27.10.1992. ЕР 0762500 А1, 12.03.1997. JP 2004128263 А, 22.04.2004. KR 20030085379 А, 05.11.2003. CN 101382964 А, 11.09.2009.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") (RU)
Изобретатели:
Войтович Виктор Евгеньевич (EE) Гордеев Александр Иванович (RU) Думаневич Анатолий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Изобретение обеспечивает улучшение динамических свойств, расширение диапазона рабочих напряжений, увеличение плотности токов, повышение термодинамической устойчивости высоковольтных ультрабыстрых арсенид-галлиевых диодов. Сущность изобретения: в конструкции кристалла арсенид-галлиевого диода в эпитаксиальных анодных и катодных областях структуры профиль концентрации легирующей примеси резко выраженный ступенчатый с резким - плавным - резким убыванием и возрастанием разностной концентрации донорной и акцепторной примесей. Кристалл ультрабыстрого мощного высоковольтного арсенид-галлиевого диода содержит высоколегированную монокристаллическую подложку первого типа проводимости с концентрацией легирующей примеси не менее чем 1019 см-3 ; эпитаксиальный слой первого типа проводимости с областями резкого, плавного, резкого уменьшения разностной концентрации донорной и акцепторной примесей от уровня концентрации в подложке 10 19 см-3 до менее чем 1011 см -3; эпитаксиальный слой с разностной концентрацией донорной и акцепторной примесей 1011 см-3; эпитаксиальный слой второго типа проводимости с областями с резким, плавным, резким увеличением разностной концентрации донорной и акцепторной примесей от 1011 см-3 до 1018 см-3 и более. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента