RU 91222 U1, 27.01.2010. SU 1001830 A1, 20.06.2000. US 6479844 B2, 12.11.2002. DE 19627838 A1, 17.04.1997. JP 2184078 A, 18.07.1990.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") (RU)
Изобретатели:
Войтович Виктор Евгеньевич (EE) Гордеев Александр Иванович (RU) Думаневич Анатолий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") (RU)
Реферат
Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. Сущность изобретения: в высоковольтном высокотемпературном быстродействующем тиристоре с полевым управлением, содержащем анодную область из высоколегированной подложки p+-типа проводимости, базовую область из последовательных эпитаксиальных слоев n-типа и высокоомного n --типа проводимости, затворную область, выполненную из локальных взаимосвязанных областей p+-типа проводимости в приповерхностном объеме, в том числе в углублениях базовой области, катодную область, выполненную из локальных взаимосвязанных n+-типа проводимости неглубоких областей, расположенных между затворными p+-областями, структура тиристора выполнена на основе арсенида галлия, при этом между анодной и базовой областями структуры выполнены эпитаксиальные слои р +-р-р- типа с резким, плавным, резким перепадом разностной концентрации акцепторной и донорной примесей от не менее чем 1019 см-3 до 1011 см-3 и менее, и эпитаксиальная i-область с разностной концентрацией акцепторной и донорной примесей не более чем 10 11 см-3. Изобретение позволяет в несколько раз увеличить быстродействие тиристора с полевым управлением, повысить рабочую температуру кристалла в 1,5-2 раза, радиационную стойкость. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента