RU 2390071 C1, 20.05.2010. RU 2298255 C1, 27.04.2007. RU 2402836 C1, 27.10.2010. DE 3903346 A, 27.07.1989. EP 0117434 A1, 05.09.1984. US 4291278 A, 22.09.1981. CN 101740556 A, 16.06.2010.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) Ганюшкина Нина Валентиновна (RU) Пчелин Виктор Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности конструкции схемы, улучшение электрических характеристик и теплоотвода от кристаллов транзисторов. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, расположенную обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании, в диэлектрической подложке выполнено отверстие, а на металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристаллов транзисторов, на верхней плоскости выступа теплоотводящего основания с двух сторон кристалла одного из транзисторов выполнены монтажные площадки, снабженные хорошо теплопроводящей пластиной, в хорошо теплопроводящей пластине выполнена канавка, в которой расположен и закреплен один кристалл другого транзистора. Хорошо теплопроводящая пластина выполнена единой для кристаллов транзисторов каждой пары, при этом расстояние между парами транзисторов S и теплопроводность материала пластины определены согласно заявленному условию. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента