Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА

Номер публикации патента: 2457576

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011106490/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/70    
Аналоги изобретения: SU 1679922 A1, 27.07.1996. RU 2238604 C1, 20.10.2004. US 5763914 A, 09.06.1998. JP 2004063860 A, 26.02.2004. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) (RU) 
Изобретатели: Булгаков Олег Митрофанович (RU)
Петров Борис Константинович (RU)
Таравков Михаил Владимирович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная полупроводниковая структура содержит ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме вписанных в прямоугольники трапеций с параллельными высотами и монотонным убыванием ширины каждой от большого основания к малому, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций. По крайней мере, в части ряда верхние и нижние основания трапеций у края полосы чередуются, что приводит к увеличению расстояний между их наиболее разогретыми участками и снижению максимума температуры структуры. 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"