RU 2387046 С1, 20.04.2010. RU 2204144 С2, 10.05.2003. US 4994730 А, 19.02.1991. US 54463307 А, 29.08.1995. US 5742080 А, 21.04.1998.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Московского института электронной техники (RU)
Изобретатели:
Козлов Антон Викторович (RU) Мальцев Петр Павлович (RU) Поломошнов Сергей Александрович (RU) Резнев Алексей Алексеевич (RU) Решетников Иван Александрович (RU) Сауров Александр Николаевич (RU) Тихонов Роберт Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Московского института электронной техники (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик содержит два чувствительных элемента, два усилителя, выполненные в виде двух токовых зеркал на МОП транзисторах и схему сравнения с двумя входами. Чувствительные элементы с усилителями выполнены в виде интегральных токомагнитных датчиков на основе биполярных магнитотранзисторов, расположенных на постоянном расстоянии друг от друга с возможностью определения градиента распределения магнитного поля по разности сигналов с датчиков. Каждый из указанных датчиков связан через токовое зеркало, выполняющее функцию нагрузки, и выход токового зеркала с входом соответствующего КМОП инвертора согласования уровня сигналов токомагнитных датчиков и входных напряжений на соответствующих входах схемы сравнения, содержащей RS-триггер и выходной каскад, один из выходов RS-триггера соединен с выходным КМОП каскадом. Это упрощает реализацию схемо-технического решения датчика градиента магнитного поля. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента