M.G.Mauk et all. Large-grain (>1-mm), recrystallized germanium films on aluminia, fused silica, oxide-coated silicon substrates for III-V solar cell applications. J. Crystal Growth 250, (2003), 50-56. US 7456057 B2, 25.11.2008. US 6670544 B2, 30.12.2003. US 4370510 A, 25.01.1983. DE 10205618 A1, 28.08.2003. RU 2368038 C1, 20.09.2009. RU 2340979 C1, 10.12.2008.
Имя заявителя:
Гиваргизов Евгений Инвиевич (RU)
Изобретатели:
Гиваргизов Евгений Инвиевич (RU) Гиваргизов Михаил Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Гиваргизов Евгений Инвиевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к области материаловедения, преимущественно электронного, в частности к солнечной энергетике. Сущность изобретения: германиевую подложку для создания каскадных солнечных элементов из полупроводниковых соединений A3 B5 и A2B6 предлагается изготовлять в виде тонкой пленки из взаимно параллельных монокристаллических полосок прямоугольной формы, в которых непокрытые участки подложки занимают не более 5% от общей площади пленки и ширина просветов не превосходит 5 микрометров. Пленку формируют путем осаждения германия на подложку и последующей перекристаллизации. Техническим результатом изобретения является снижение стоимости подложки и обеспечение возможности формировать посредством многослойной эпитаксии необходимые каскадные полупроводниковые структуры солнечных элементов с высоким структурным совершенством. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента