Кожевников В.А. Мощные низковольтные СВЧ-транзисторы для подвижных средств связи. Радио, 1999, 11, с.33, 34. Никишин В.И. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и связь, 1989, с.18. RU 2192692 С1, 10.11.2002. RU 2054756 С1, 20.02.1996. SU 724000 А, 07.01.1986.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Изобретатели:
Булгаков Олег Митрофанович (RU) Петров Борис Константинович (RU) Лупандин Владислав Владимирович (RU) Петров Семен Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор содержит ряд из N транзисторных ячеек, первые металлизированные площадки которых соединены первой проводящей лентой с входным электродом корпуса, а вторые металлизированные площадки соединены второй проводящей лентой с общим электродом корпуса, причем между местами соединения лент с металлизированными площадками в лентах имеются выемки. Длина или ширина хотя бы одной проводящей дорожки между выемками в хотя бы одной проводящей ленте отличаются от длин и ширин других проводящих дорожек между выемками, а индуктивности проводящих дорожек с отличающейся длиной и шириной между выемками от контакта с металлизированной площадкой до места соединения с проводящей лентой удовлетворяют определенному условию. Изобретение позволяет увеличить ширину полосы рабочих частот транзистора. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента