|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2354010 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L045/00 | | Аналоги изобретения: | US 3942186 А, 02.03.1976. JP 2001326334 A, 22.11.2001. SU 526243 A, 17.10.1980. SU 466817 A, 30.05.1988. SU 578802 A1, 19.06.1995. SU 640618 A1, 19.06.1995. SU 659034 A1, 19.06.1995. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU) | | Изобретатели: | Гук Владимир Гаврилович (RU)
Филаретов Гелий Алексеевич (RU)
Калинин Борис Вячеславович (RU)
Березняк Анатолий Федорович (RU)
Красовицкий Дмитрий Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в качестве переключающего элемента (ключа) или управляемого конденсатора в интегральных микросхемах, работающих, в том числе, на частотах выше 10 ГГц. Трехэлектродный высокочастотный полупроводниковый прибор включает полупроводниковый эпитаксиальный слой на подложке и размещенные на нем два контакта высокочастотного тракта и один управляющий контакт.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента