|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СВЕРХПРОВОДНИК НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДА ЛИТИЯ |  |
Номер публикации патента: 2351677 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C22C029/18 H01L039/12 | | Аналоги изобретения: | RU 2128383 C1, 27.03.1999. SU 1686985 A1, 21.07.1989. WO 03015187 A3, 20.02.2003. US 5384307 A, 24.01.1995. WO 9111030 A1, 25.07.1991. |
| Имя заявителя: | Дончак Андрей Александрович (RU) | | Изобретатели: | Дончак Андрей Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Дончак Андрей Александрович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости. Может использоваться при создании линий электропередач и энергетических установок. Высокотемпературный сверхпроводник на основе соединения лития Si1-xCxLi4, где 0х0,02. Применение соединения лития в качестве сверхпроводника позволяет повысить критическую температуру сверхпроводящего перехода.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента