Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНЫЙ ВЧ - И СВЧ - БАЛАНСНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 2328057

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006146580/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/72    
Аналоги изобретения: Puissance Hyperfrequence: CTC Lance Le Concept du Transistor Equilibre // Inter-Electronic. - 1977. №252. PP.18-21. RU 2229183 C1, 20.05.2004. RU 93028664 A, 20.12.1995. SU 652683 A, 15.03.1979. US 4393392 A, 12.07.1983. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (RU) 
Изобретатели: Булгаков Олег Митрофанович (RU)
Петров Борис Константинович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет понизить коэффициент нелинейных искажений мощного ВЧ- и СВЧ-балансного транзистора, предназначенного для работы в двухтактных схемах усиления мощности и содержащего два идентичных ряда транзисторных ячеек, площадки контактной металлизации входных областей каждой из которых соединены проволочными проводниками с соответствующим данному ряд


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"