

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

БУЛЯ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III - V ГРУПП ДЛЯ ПОДЛОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ

Номер публикации патента: 2272090

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2002124868/15

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B023/00 C30B023/02 C30B025/00 C30B025/02 C30B025/18 C30B029/38 C30B031/00 C30B031/22 C30B033/00 H01L021/203 H01L021/205 H01L027/00
Аналоги изобретения:	US 5954874 А, 21.09.1999. ЕР 0781619 А, 02.07.1997. JP 11162852 A, 18.06.1999. US 3634149 A, 11.01.1972. JP 61166056 A, 26.07.1986. JP 2000022212 A, 21.01.2000. JP 2000044399 A, 15.02.2000.

Имя заявителя:	Кри, Инк. (US)
Изобретатели:	ВОДОУ Роберт П. (US) ФЛИНН Джеффри С. (US) БРАНДЗ Джордж Р. (US) РЕДУИНГ Джоан М. (US) ТИШЛЕР Майкл А. (US)
Патентообладатели:	Кри Инк. (US)

Реферат

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"