|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ |  |
Номер публикации патента: 2262777 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L043/06 | | Аналоги изобретения: | US 2002050916 А1, 02.05.2002. JP 9116213 А1, 02.05,1997. JP 2000183423 А1, 30.06.2000. JP 57118682 А, 23.07.1982. RU 2054757 C1, 20.02.1996. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (ОАО НИИПП) (RU) | | Изобретатели: | Карлова Г.Ф. (RU)
Пороховниченко Л.П. (RU)
Умбрас Л.П. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (ОАО НИИПП) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным датчикам, использующим эффект Холла. Сущность: датчик магнитного поля содержит арсенидогаллиевый кристалл, состоящий из полуизолирующей подложки, магниточувствительного эпитаксиального слоя электронного типа проводимости, токовых и потенциальных контактов, в котором толщина магниточувствительного слоя (d) задана в пределах: d=(0,2-1,5) мкм, а средняя концентрация электронов (n) в указанном слое выбирается из соотношения: n·d=(3,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента