|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДАТЧИК СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКИ |  |
Номер публикации патента: 2258275 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/16 | | Аналоги изобретения: | RU 2221314 C1, 10.01.2004. RU 2005309 C1, 30.12.1993. US 6344742 B1, 05.02.2002. |
| Имя заявителя: | ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) | | Изобретатели: | Ичкитидзе Л.П. (RU) | | Патентообладатели: | ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) |
Реферат | |
Использование: в области криоэлектроники, для создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля содержит диэлектрическую подложку из сапфира и магниточувствительный элемент, в качестве которого использована гетероэпитаксиальная ниобиевая пленка.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента