|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДАТЧИК СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ |  |
Номер публикации патента: 2221314 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/16 | | Аналоги изобретения: | Tsukamoto K. et.al. Magnetic detector using BiOPb-Sr-Ca-Cu-O superconductor film. Japan journ. Appl. Phys., vol.30, №4B, April, pp.L686-L689. JP 1173765 А, 10.07.1989. ЕР 0926508 А2, 30.06.1999. RU 2005309 С1, 30.12.1993. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Григорашвили Ю.Е.
Ичкитидзе Л.П.
Мингазин В.Т. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: в области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля состоит из диэлектрической подложки на основе оксида магния, магниточувствительного элемента из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox, выполненного в виде меандра.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента