|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК |  |
Номер публикации патента: 2211506 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L043/08 G01R033/00 | | Аналоги изобретения: | RU 2134890 С1, 20.08.1999. ЕР 0573372 А3, 08.12.1993. WO 9201945 А1, 06.02.1992. КАСАТКИН С.И. и др. Тонкопленочные многослойные датчики магнитного поля на основе анизотропного магниторезистивного эффекта. - Микроэлектроника, т.29, №2, 2000, с.149-160. |
| Имя заявителя: | Войсковая часть 35533 | | Изобретатели: | Лопатин В.В.
Сватков А.В. | | Патентообладатели: | Войсковая часть 35533 |
Реферат | |
Изобретение относится к технике магнитометрии и может быть использовано для выделения низкочастотной составляющей амплитудно-модулированного магнитного поля. Технический результат: расширение преобразовательных возможностей датчика с V-образной статической вольт-эрстедной характеристикой за счет непосредственного преобразования амплитудно-модулированного магнитного поля в электрическое напряжение низкой частоты, эквивалентное модулирующему сигналу.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента