|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2183367 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | WO 94/01889 А1, 20.01.1994. ЕР 0288052 А2, 26.10.1988. RU 2004036 С1, 30.11.1993. RU 2025822 С1, 30.12.1994. ИОВДАЛЬСКИЙ В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. - Электронная техника, сер.1, вып.1 (467), 1996, с.34-39. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А. | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и углублениями, в которых с помощью связующего вещества закреплены кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов. Лицевая поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площадки кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации. Стенки углублений выполнены наклонными. Угол α наклона стенок углублений к плоскости платы составляет 90,1-150o, для кристалла размером 0,5•0,5•0,15 мм и размер углубления 0,6•0,6•0,16 мм. Техническим результатом изобретения является повышение воспроизводимости электрических параметров и технологичность. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента