|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2166220 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | Onai T. et all, Self - Aligned Compementary Bipolar Technology lor Low - power Dissipation and Ultra - High - Speed LSI's IEEE Transactions on Electron Derices, Vol. 42 N3. March 1995. p. 413. SU 1005607 A1, 15.09.1994. SU 1827149 A3, 27.06.1996. US 5386140 A, 31.01.1995. EP 0092671 A2, 02.11.1983. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина | | Изобретатели: | Ракитин В.В. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника и наноэлектроника, при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Сущность изобретения: предлагается в известной конструкции биполярного транзистора, содержащей полупроводниковую подложку, в которой сформированы высоколегированные области коллектора и эмиттера и высоколегированные пассивные базовые области, активную базу выполнить в виде слоя полупроводника, проводимость которого близка к собственной проводимости
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента