|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2138098 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | Иовдальский В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. Электронная техника, сер.1, СВЧ-техника, вып.1 (467), 1996, с. 34 - 39. GB 2129223 A, 10.05.84. RU 2004036 C1, 30.11.93. US 5049978 A, 17.09.91. EP 0197148 A1, 15.10.86. US 5159433 A, 27.10.92. RU 2067362 C1, 27.09.96. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., ЛТД (KR) | | Изобретатели: | Айзенберг Э.В.(RU)
Бейль В.И.(RU)
Клюев Ю.П.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., ЛТД (KR) | | Номер конвенционной заявки: | PCT/RU 96/00336 | | Страна приоритета: | WO |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и электронной технике, а более точно - к гибридным интегральным схемам СВЧ диапазона и может быть использовано в твердотельных модулях повышенного уровня СВЧ мощности, в частности, в усилителях СВЧ. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ диапазона, содержащей бескорпусные полупроводниковые приборы 5 с контактными площадками, диэлектрическую плату 1 с отверстиями 3 и топологическим рисунком на ее лицевой стороне и экранной металлизацией 2 на противолежащей стороне, металлическое основание 4 с выступами 6, прилегающими к экранной металлизации 2 диэлектрической платы 1 и проходящими сквозь ее отверстия 3, причем бескорпусные полупроводниковые приборы 5 установлены на выступах 6 основания 4 таким образом, что их поверхность с контактными площадками расположена на одном уровне с лицевой стороной диэлектрической платы 1, причем часть контактных площадок соединена с топологическим рисунком металлизации, а часть соединена с выступами 6 основания 4, причем металлическое основание 4 выполнено с отверстиями 3 в местах расположения его выступов 6, а выступы 6 представляют собой вставки, жестко закрепленные в указанных отверстиях 3 и выполненные из материала, коэффициент теплопроводности которого превышает коэффициент теплопроводности материала металлического основания 4. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей модульных СВЧ устройств повышенного уровня мощности, повышение эксплуатационной надежности гибридных интегральных схем СВЧ диапазона в достаточно широком диапазоне температур, уменьшение габаритных размеров схем. 3 з.п.ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента