|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ - ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2137256 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H05K001/16 | | Аналоги изобретения: | Microwave and RF, 1986, vd. N 9, p.232. SU 546240 A, 04.08.78. EP 0356212 A3, 28.02.90. DE 3123213 A1, 04.03.82. Черняев В.Н Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с. 13, 14. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд (KR) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.(RU)
Айзенберг Э.В.(RU)
Бейль В.И.(RU)
Лопин М.И.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) | | Номер конвенционной заявки: | PCT/RU 96/00277 | | Страна приоритета: | WO |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит нижней обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы под углублением служит диэлектриком конденсатора, а верхняя обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углублении составляет 1-400 мкм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик схемы. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента