|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР |  |
Номер публикации патента: 2130216 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L035/18 H01L035/28 | | Аналоги изобретения: | Касьян В.А. Тонкие пленки антимонида индия. - Кишинев: Штиинца, 1989, с.98 - 101. SU 455702 A, 03.12.76. SU 94836 A, 23.05.64. US 3969149 A, 13.07.76. US 4626612 A, 07.12.86. EP 0034538 A2, 26.08.87. |
| Имя заявителя: | Никольский Юрий Анатольевич | | Изобретатели: | Никольский Ю.А. | | Патентообладатели: | Никольский Юрий Анатольевич |
Реферат | |
Миrротермоэлектрогенератор на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In. За счет этих включений - неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность возникает аномально высокая термоЭДС, равная 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента