Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ

Номер публикации патента: 2124785

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97111498 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L035/34    
Аналоги изобретения: SU 669432 A, 1979. SU 918996 A, 1982. GB 1540203 A, 1979. US 5009717 A, 1979. DE 2644283 B2, 1979. DE 19541185 A1, 07.05.97. 

Имя заявителя: Акционерное общество закрытого типа "МИНЭКС" 
Изобретатели: Белая Л.А.
Беликов В.Н.
Нестеров В.П. 
Патентообладатели: Акционерное общество закрытого типа "МИНЭКС" 

Реферат


Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических модулей в серийном и промышленном производстве. Изобретение решает задачу упрощения технологического процесса изготовления термоэлектрического модуля за счет исключения ручных операций и его удешевления. Для решения этой задачи при изготовлении термоэлектрического модуля из полупроводниковых элементов с чередующимися элементами n- и p-типа проводимости, между которыми размещены изоляционные элементы, полупроводниковые изоляционные элементы формируют методом порошковой металлургии, полупроводниковые элементы изготавливают с по меньшей мере одним буртиком, высота которого соответствует толщине изоляционного элемента, а элементы n- и p-типа проводимости последовательно соединяют так, чтобы буртики полупроводникового элемента одного типа проводимости контактировали с боковой поверхностью полупроводникового элемента другого типа проводимости, а расположенные между ними изоляционные элементы ограничивались буртиком, полученную многослойную структуру помещают в пресс-форму, после чего производят термообработку в специальном режиме. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"