На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ВАРИКАП

Номер публикации патента: 2119698

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95119346		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы. Сущность изобретения: варикап состоит из полупроводника с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n-переход с другим контактом. Полупроводник выполнен в виде пленки, размещенной на подложке, под рабочим участком пленки 0 ≅ x ≅ X_max, z1(x) ≅ z ≅ z2(x), в том числе однородно легированным вдоль x и имеющим однородную толщину вдоль x, подложка, выполненная из полупроводникового материала противоположного с пленкой типа проводимости, сформирована с неоднородным вдоль x примесным профилем, выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения рабочего участка пленки либо его части основными носителями заряда до пробоя p-n-перехода при подаче на него внешнего смещения. Омический контакт к пленке выполнен в виде полосок, соединенных друг с другом, или одной полоски, при этом выбор зависимости емкости от напряжения определен выбором функциональной зависимости размера рабочего участка пленки F(x) = z2(x) - z1(x) в направлении z, либо выбором толщины пленки D(x), где x, z - координаты в плоскости общей с подложкой поверхности пленки, в том числе и прямоугольные. Технический результат изобретения заключается в получении варикапов с высокой добротностью практически с любой наперед заданной зависимостью емкости от напряжения, в том числе и варикапов, коэффициент перекрытия по емкости которых не лимитируется напряжением пробоя. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Вернуться к списку