|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ |  |
Номер публикации патента: 2108640 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Onada B. et al. A nen polisilican process for a bipolas Olevice PSA Tecnology. IEEE Transactions on Electron Devices. 1979, v.ED-26, p.385 - 389. 2. Ning T.H. et al. Self-aligued bipolar transistors for high performance and low-power delay VLSI. IEEE Transactions on Electron Devices. 1981, v. ED-28, 9, p.1010 - 1013. |
| Имя заявителя: | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | | Изобретатели: | Сауров А.Н. | | Патентообладатели: | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: биполярный транзистор интегральной схемы состоит из полупроводниковой меза-структуры, изолированной диэлектриком и содержащей области эмиттера, базы и коллектора. В меза-структуре выполнены ступеньки так, что горизонтальные поверхности ступенек расположены на поверхности меза-структуры, в области базы и коллектора. Диэлектрик, изолирующий меза-структуру, выполнен также в виде ступенек, горизонтальные поверхности которых расположены на трех уровнях, соответствующих по высоте месту расположения областей эмиттера, базы и коллектора. Проводники к указанным областям электрически соединены с соответствующими областями на горизонтальных поверхностях ступенек меза-структуры и размещены на соответствующих горизонтальных поверхностях ступенек диэлектрика. Горизонтальные поверхности ступенек диэлектрика могут быть расположены на уровне горизонтальных поверхностей ступенек меза-структуры. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента