| 
			
					
			 На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента 
			
				Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину» 
			
			 
		   | ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА |      |  
 
 Номер публикации патента: 2086051 |   |  
  
	
	 
	
| Редакция МПК:  | 6  |  | Основные коды МПК:  | H01L047/02     |  | Аналоги изобретения:  | 1. JP, заявка N 52-22233, кл. H 01 L 47/02, 1977. 2. RU Заявка N 93009319, кл. H 01 L 47/02, 1995.  |  
	 
	 
	
| Имя заявителя:  | Каневский Василий Иванович[UA]  |  | Изобретатели:  | Каневский Василий Иванович[UA] Сухина Юрий Ефимович[UA]  |  | Патентообладатели:  | Каневский Василий Иванович[UA] Сухина Юрий Ефимович[UA  |  
	 
	 
Реферат |   |  
 
 Использование: в электронной технике. Сущность: прибор содержит полупроводниковый материал GaAs n-го типа проводимости, расположенные друг напротив друга анодный и катодный контакты, катодный контакт содержит области, инжектирующие ток, n+-го типа проводимости, окруженные областями, ограничивающими инжекцию тока, выполненными в виде обратносмещенного барьера Шоттки. Со стороны анодного контакта сформированы полупроводниковые слои n+- и n++-го типа проводимости, а области, инжектирующие и ограничивающие инжекцию тока в прибор, выполнены кольцевыми с общим геометрическим центром. В центре структуры прибора выполнено цилиндрическое отверстие, проекция которого совпадает с внутренней окружностью внутренней кольцевой области, и образующая цилиндра перпендикулярна каждому из слоев. Новым в высокочастотном приборе на эффекте Ганна является выполнение катода прибора в виде периодически повторяющихся с периодом δ = (hОК + hБШ)N кольцевых областей, инжектирующих ток в прибор, отделенных друг от друга (N + 1)-й областью, ограничивающими инжекцию тока в прибор с общим геометрическим центром. Количество кольцевых областей, инжектирующих ток в прибор, при заданной входной мощности прибора Pвх и перегреве прибора &Dgr;T связаны определенным соотношением. Кроме того, в высокочастотном приборе перегрев прибора &Dgr;T удовлетворяет соотношению &Dgr;T ≅ 100 K , а внешний радиус первой от геометрического центра кольцевой области катода, инжектирующей ток в прибор R1 и δ выбираются из соотношений R1 ≥ 25hок, δ > 10 hОК, где hок - толщина кольцевой оболочки, инжектирующей ток в прибор. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.  
		 |