|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДАТЧИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2083030 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/0376 | | Аналоги изобретения: | 1. J.Piotrowsci. Recent advances in IR detector technology. Microelectron. J., vol. 23, N 4, pp. 305 - 313, 1992. 2. R.Wade, I.S. Melean. A review of availability of IR detectors. Pros. Src. photo - Opt. Instrum. Eng., vol. 1130, pp. 166 - 168, 1989. 3. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников (пер. с агнл.) - М.: Мир, 1991. 4. Infrared sensor. Techno Jap. - 1989, v. 22, N 6, p. 87. 5. Mimura H., Hatanaka Y. Reversecurrent characteristics of hydrogenated amorphous silicon - crystalline silicon heterojuncftion. Jap. J. Appl. Phys. - 1987, v. 26, N 1, p. 60 - 65. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Будагян Б.Г.
Айвазов А.А.
Шерченков А.А.
Филатова И.В. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: в качестве приемника излучения с избирательной чувствительностью в ИК-области при создании фоточувствительных устройств. Сущность изобретения: датчик содержит монокристаллическую кремниевую подложку p-типа проводимости с удельным сопротивлением более 20 Ом см, сформированный на ней слой из аморфного кремния n-типа проводимости толщиной от 1,6 до 2,0 мкм и омические контакты к ним. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента