|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГИБРИДНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ ВАКУУМНОЕ МИКРОПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2073936 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/12 | | Аналоги изобретения: | 1. N. McGruer et al. Prospect for a 1TH<SB>2</SB> Vacuum microelectronic Microstrip Amplifier. The III<SP>d</SP> International vacuum Microelectronics Conference. July 1990. 2. Чертеж общего вида СВЧ-усилителя N 8043.00. |
| Имя заявителя: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | | Изобретатели: | Щелкунов Г.П.
Иовдальский В.А.
Бейль В.И.
Грицук Р.В. | | Патентообладатели: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность: контактные площадки кристалла соединены непосредственно с топологическим рисунком металлизации. На лицевой поверхности платы под кристаллом выполнено углубление глубиной 5-150 мкм, на дне которого расположен анод. Кроме того, топологический рисунок платы, выходящий за пределы контактных площадок кристалла, расположен в углублениях на лицевой поверхности платы. На обратной стороне платы под анодом может быть выполнено металлизированное углубление, заполненное токопроводящим материалом. Углубление в плате может быть двухступенчатым с металлизированным отверстием в дне верхней части, а в дне нижней части отверстие заполнено металлом. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента