|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ БИПОЛЯРНАЯ СХЕМА И - НЕ |  |
Номер публикации патента: 2073935 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/04 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1128287, кл. H 03 K 19/088, 1984. 2. Авторское свидетельство СССР N 1744738, кл. H 01 L 27/04, 1990. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) | | Изобретатели: | Трубочкина Н.К.
Петросянц К.О. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем со сверхмалым потреблением мощности. Сущность: комплементарная биполярная схема И-НЕ содержит многоэмиттерный n-p-n-транзистор, переключательный n-p-n-транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор является выходом элемента, входами которого являются эмиттеры многоэмиттерного n-p-n-транзистора, а коллектор которого соединен с базой переключательного n-p-n-транзистора. Схема содержит также первый и второй p-n-p-транзисторы, коллектор первого p-n-p-транзистора соединен с базой многоэмиттерного n-p-n-транзистора, коллектор второго p-n-p-транзистора соединен с базой переключательного n-p-n-транзистора, к эмиттерам первого и второго p-n-p-транзисторов подключен электрод питания. В схеме базы первого и второго p-n-pтранзисторов совмещены и подключены к коллектору переключательного n-p-n-транзистора. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента